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PTP5N65-E

Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.)
●BVDSS=650V,ID=4.5A
●Lower RDS(on) : 2.7Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested
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PTP2N80

800V N-Channel MOSFET
Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge :Qg= 13nC (Typ.)
●BVDSS=800V,ID=3A
●RDS(on) : 5 Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested
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PTP01H11

Description
The PTP01H11 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

General Features
● VDS =100V,ID =110ARDS(ON) <9mΩ @ VGS=10V
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation
● Special process technology for high ESD capability

Application
● Power switching application
● Hard switched and high frequency circuits
● Uninterruptible power supply
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PTP01H10

Description
The PTP01H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
General Features

● VDS = 100V,ID =100ARDS(ON) < 11mΩ @ VGS=10V (Typ:9.9mΩ)
● Special process technology for high ESD capability
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation

Application
● Power switching application
● Hard switched and high frequency circuits
● Uninterruptible power supply
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PTF12N60

Features
■ RDS(on) (Max 0.70 Ω )@VGS=10V
■ Gate Charge (Typical 50nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range (150°C)
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PTF10N65

Features
■ RDS(on) (Typical 0.70 Ω )@VGS=10V
■ Gate Charge (Typical 45nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range (150°C)

General Description
This Power MOSFET is produced using Wisdom’s advanced
planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been
especially designed to minimize on-state resistance, have a high
rugged avalanche characteristics. These devices are well suited
for high efficiency switch mode power supplies, active power factor
correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
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PTF10N60

Features
10.0A, 600V, RDS(on) = 0.750Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 48nC)
High ruggedness
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
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PTF8N60

Features
■ RDS(on) (Max 1.2 Ω )@VGS=10V
■ Gate Charge(Typical 28nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range(150°C)
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PTF5N60

Features
■4.5A,600v,RDS(on)=2.5Ω@VGS=10V
■ Gate charge (Typical 17nC)
■ High ruggedness
■Fast switching
■100% AvalancheTested
■Improved dv/dt capability

General Description

This Power MOSFET is producedusingPHILOP’s advancedplanar stripe, DMOS technology.This latest technology has beenespecially designed to minimizeon-state resistance, have a highrugged avalanche characteristics, suchas fastswitching time,lowon resistance.low gate charge and especially excellentavalanchecharacteristics.Thispower MOS ET is usually usedatF ACadaptors, on the batterychargerand SMPS
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PTF3N80

Features
■ RDS(on) (Max 5.0 Ω )@VGS=10V
■ Gate Charge(Typical 15.0nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range(150°C)
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PTD7580

Description
The PTD7580 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.
General Features
● VDS = 75V,ID =80ARDS(ON) <8mΩ @ VGS=10V（Typ：6.5mΩ）
● Special process technology for high ESD capability
● Special designed for convertors and power controls
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation

Application
● Power switching application
● Hard switched and high frequency circuits
● Uninterruptible power supply
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PTD630

200V N-Channel MOSFET
Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.)
●BVDSS=200V,ID=9A
●Lower RDS(on) : 0.4 Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested
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PTD50N03

60A , 25 V N-Channel MOSFET
Features
●RDS(ON) = 5.2mΩ @VGS = 10 V
●Low capacitance
●Optimized gate charge
●Fast switching capability
●Avalanche energy specified
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PTD30P55

DescriptionThe PTD30P55 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =-55V,ID =-30ARDS(ON) <40mΩ @ VGS=-10V
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation

Application
●Power switching application
●Hard switched and high frequency circuits
●Uninterruptible power supply
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PTD7N65

650V N-Channel MOSFET
Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge : 16 nC (Typ.)
●BVDSS=650V,ID=6.5A
●Lower RDS(on) : 1.5Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested
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PTD6N65

650V N-Channel MOSFET
Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge : 16 nC (Typ.)
●BVDSS=650V,ID=6A
●Lower RDS(on) : 1.5Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested
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PTD6N60

600V N-Channel MOSFET
Features
● Low Intrinsic Capacitances
● Excellent Switching Characteristics
● Extended Safe Operating Area
● Unrivalled Gate Charge : 16 nC (Typ.)
● BVDSS=600V,ID=6A
● Lower RDS(on) : 1.5Ω (Max) @VG=10V
● 100% Avalanche Tested
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PTD5N65

650V N-Channel MOSFET
Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.)
●BVDSS=650V,ID=4.5A
●Lower RDS(on) : 2.5Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested
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PTD5N50

N-Channel MOSFET
Features
■ RDS(on) (Max 1.5Ω) @ VGS=10V
■ GateCharge(Typical 20nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■MaximumJunctionTemperatureRange(150°C)

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PTD2N80

HIGH VOLTAGE N-Channel MOSFET600V N-Channel MOSFET

Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge :12 nC (Typ.)
●BVDSS=800V,ID=2A
●Lower RDS(on) : 6.3 Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested
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PTR1N60

N-CHANNEL 600V - 8 W - 1A DPAK / IPAK / TO-92Power MOSFET
●TYPICAL RDS(on) = 8 W
●EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
● 100% AVALANCHE TESTED
●GATE CHARGE MINIMIZED
●NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK

APPLICATIONS
●SWITCH MODE LOW POWER SUPPLIES(SMPS)
●LOW POWER, LOW COST CFL (COMPACTFLUORESCENT LAMPS)
● LOW POWER BATTERY CHARGERS
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PT401

产品描述
PT401是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的高性能同步整流控制器。
PT401基于“自适应死区时间控制”技术，可支持连续模式（CCM）、断续模式（DCM）和准谐振工作模式（QR）。同时内部集成参考电压为1.25V的误差放大器，可替代外部TL431，降低了系统成本。
PT401集成欠压保护功能与原副边共通保护功能。

主要特点
●反激拓扑副边同步整流控制器
●支持CCM、DCM和准谐振工作模式
●＜300uA超低静态电流
●内置1.25V(±1.5%)参考电压和误差放大器，无需TL431
●集成多种保护
  ■VCC欠压保护(UVLO)
  ■原副边共通保护
●封装类型SOT23-6

典型应用
●工业电源系统
●电池供电系统
●反激适配器
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PT35XX

概述
PT35XX是一款用于开关电源的高效率同步整流控制IC。其具备较高的集成度，在有效的提升开关电源的转换效率的同时，减少了外围元器件的应用。
PT35XX可用于DCM/QR开关电源系统。该电路内置45V的功率管，在系统中替代次级肖特基管,并提高整个系统的工作效率。具有开启阀值电压低、开关速度快和反向恢复时间短的特点。
PT35XX具有极低的静态工作损耗和自供电技术。电路采用SOP8的标准封装形式。

特点
支持DCM和QR模式
● 内部集成低内阻的N沟道功率MOSFET
●开关转换速度快、反向恢复时间短
●特有的自供电技术，无需外部电源供电
●内置多重保护
●外围应用器件少
● 静态功耗小

特点
●支持DCM和QR模式
● 内部集成低内阻的N沟道功率MOSFET
●开关转换速度快、反向恢复时间短
●特有的自供电技术，无需外部电源供电
● 内置多重保护
●外围应用器件少
●静态功耗小

应用
●电源适配器、电源转换器等
●小型数码产品的辅助电源等
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PT5222

概述
PT5222为ＵＳＢ镍镉/镍氢充电管理ＩＣ，现在主要应用的市场为电子玩具ＵＳＢ充电器。本芯片为一种高效率、控制稳定可靠的充电管理电路。整个电路通过检测电池电压控制充电电流大小。电路采用-△V快速充电终止方式，保证电池的充饱率达到100%。芯片内置了高精度的 ADC，实时对电池电压和充电电流进行准确采样，并经过智能算法处理，从而高效、可靠的完成充电。

特性
●给镍镉／镍氢电池3、4节电池充电。
●芯片的工作电压为5V，供电范围为3.5V~7.5V。
●芯片设计了内置的10bit ADC可对采样的电池电压和电流进行模数转换，并输出数字信号到算术逻辑单元检测。
●充电截止方式采用-△V检测方式。
●IC内置自动电流调节器，当升压电压升到最大或输入电压被拉低时具
有电流自动调节功能，电流自动调节功能会将电流调至一个最大电流。
●IC内部可以检测USB供电电压大小，当USB电源电压被拉低到某个阈值时会减小充电电流以保护USB电源的安全，USB电源电压升起后再增大充电电流。
●IC具有上电输出短路报警功能，以保证电池、及IC自身安全。
●IC内部具有过温保护功能，当芯片内部温度过高时会关闭输出，温度滞回后继续工作。
●驱动 LED 输出显示充电状态。
●采用ESOP8封装。
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PT5121

概述
PT5121为ＵＳＢ镍镉/镍氢充电管理ＩＣ，现在主要应用的市场为电子玩
具ＵＳＢ充电器。
本芯片为一种高效率、控制稳定可靠的充电管理电路。整个电路通过检测电
池电压控制充电电流大小。电路具有0△V 和-△V 快速充电终止方式，保证电
池的充饱率达到100%。芯片设计了一种内置的高精度ADC 可对采样的电池电压
和电流进行模数转换，并输出数字信号到算术逻辑单元检测，从而可靠地终止快
速充电。

特性
●给镍镉／镍氢电池1 节-8 节可充电电池充电。
●芯片的工作电压为5V，供电范围为2.6V~7.5V。
●芯片设计了内置的10bit ADC 可对采样的电池电压和电流进行模数转换，并
输出数字信号到算术逻辑单元检测。
● 充电截止方式采用0△V+ -△V 检测方式。
●IC 内置自动电流调节器，当升压电压升到最大或输入电压被拉低时具
有电流自动调节功能，电流自动调节功能会将电流调至一个最大电流。
●IC 内部可以检测USB 供电电压大小，当USB 电源电压被拉低到某个阈值时
会减小充电电流以保护USB 电源的安全，USB 电源电压升起后再增大充电
电流。
●IC 具有上电输出短路报警功能，以保证电池、及IC 自身安全。
●IC 内部具有过温保护功能，当芯片内部温度过高时会关闭输出，温度滞回后
继续工作。
● 驱动LED 输出显示充电状态。
●采用SOP8 封装。
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PT4055C

概述
PT4055C是一款完整的单节锂离子电池充电器，可对2.4V锂电池充电，充电器具有电池正负极反接保护，采用恒定电流/恒定电压线性控制。其 SOT封装与较少的外部元件数目使得PT4055C成为便携式应用的理想选择。PT4055C可以适合 USB电源和适配器电源工作。
由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压会因不同的锂电池而不同，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当电池达到充满电压后，充电电流降至设定值 1/10，PT4055C将自动终止充电。 当输入电压（交流适配器或USB电源）被拿掉时，PT4055C自动进入一个低电流状态，电池漏电流在 7uA以下。PT4055C的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。

特点
●2.4V锂电池充电
●锂电池正负极反接保护
●高达600mA的可编程充电电流
●无需MOSFET、检测电阻器或隔离二极管
用●于单节锂离子电池 
●恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能
●可直接从USB端口给单节锂离子电池充电
●最高输入可达7V
●精度达到±1%的预设充电电压
●自动再充电
●1个充电状态开漏输出引脚
●C/10充电终止
●待机模式下的供电电流为250uA
●欠压时涓流充电
●软启动限制了浪涌电流
●采用5引脚SOT-23封装
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PT4055B

概述
PT4055B是一款完整的单节锂离子电池充电器，可对3.2V锂电池充电，充电器具有电池正负极反接保护，采用恒定电流/恒定电压线性控制。其 SOT封装与较少的外部元件数目使得PT4055B成为便携式应用的理想选择。PT4055B可以适合 USB电源和适配器电源工作。
由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压会因不同的锂电池而不同，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当电池达到充满电压后，充电电流降至设定值 1/10，PT4055B将自动终止充电。 当输入电压（交流适配器或USB电源）被拿掉时，PT4055B自动进入一个低电流状态，电池漏电流在 7uA以下。PT4055B的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。

特点
●3.2V锂电池充电
●锂电池正负极反接保护
●高达600mA 的可编程充电电流
●无需MOSFET、检测电阻器或隔离二极管
●用于单节锂离子电池
●恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能
●可直接从USB端口给单节锂离子电池充电
●最高输入可达7V
●精度达到±1%的预设充电电压
●自动再充电
●1个充电状态开漏输出引脚
●C/10充电终止
●待机模式下的供电电流为250uA
●欠压时涓流充电
●软启动限制了浪涌电流
●采用 5引脚 SOT-23封装

应用
●充电座
●蜂窝电话、PDA、MP3播放器
●蓝牙应用
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PT4055A

概述
PT4055A是一款完整的单节锂离子电池充电器，可对3.7V锂电池充电，充电器具有电池正负极反接保护，采用恒定电流/恒定电压线性控制。其 SOT封装与较少的外部元件数目使得 PT4055A 成为便携式应用的理想选择。PT4055A可以适合 USB电源和适配器电源工作。
由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压会因不同的锂电池而不同，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当电池达到充满电压后，充电电流降至设定值 1/10，PT4055A 将自动终止充电。 当输入电压（交流适配器或USB电源）被拿掉时，PT4055A自动进入一个低电流状态，电池漏电流在 7uA以下。PT4055A的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。

特点
●3.7V锂电池充电
●锂电池正负极反接保护；
●高达600mA的可编程充电电流；
●无需MOSFET、检测电阻器或隔离二极管；
●用于单节锂离子电池;
●恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能；
●可直接从USB端口给单节锂离子电池充电；
●最高输入可达7V；
●精度达到±1%的预设充电电压；
●自动再充电；
●1个充电状态开漏输出引脚；
●C/10充电终止；
●待机模式下的供电电流为250uA；
●欠压时涓流充电；
●软启动限制了浪涌电流；
●采用5引脚 SOT-23封装;

应用
●充电座
●蜂窝电话、PDA、MP3播放器
●蓝牙应用
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PT8223

概述
PT8223 是一款单按键触摸及接近感应开关，其用途是替代传统的机械型开关。该IC 采用CMOS 工艺制造，结构简单，性能稳定。该IC 通过引脚可配置成多种模式，可广泛应用于灯光控制、玩具、家用电器等产品。

特点
◆ 工作电压：2.0V～5.5V
◆ 最高功耗11.5uA，低功耗模式仅1.5uA(均指在3V 且无负载)
◆ 外部配置引脚设置为多种模式
◆ 高可靠性，芯片内置去抖动电路，可有效防止外部噪声干扰而导致的误动作
◆ 可用于玻璃、陶瓷、塑料等介质表面
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PT8112

概述
PT8112是一款基于SuperCharge 2.0（SC 2.0）快速充电协议的接口控制器IC，可自动识别充电设备类型，并通过充电协议与设备握手，使之获得设备允许的安全最大功率，在保护充电设备的前提下节省充电时间。 支持Quick Charge 2.0、Turbo Charge 2.0、Rapid Charge 2.0及BC1.2。

特点
a.完全兼容QC 2.0快速充电协议规范
◆A类：5V、9V及12V输出电压
◆B类：5V、9V、12V及20V输出电压
◆可选12V或20V输出限制

b.兼容USB充电规范BC1.2
◆支持USB充电规范DCP模式
◆默认5V模式工作

c.待机功耗低
◆5 V输出电压时低于350uW

d.可靠的保护功能
◆引脚间短路保护
◆引脚开路保护及电路故障保护

e.封装形式：SOP8/SOT23-6
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PT8002

产品概述
PT8002是双通道USB专用充电端口(DCP) (BC1.2)控制器。拥有自动检测特性实时监控USB数据线电压，并且自动在数据线上提供正确的电压特性，来为下列专用充电配置提供兼容性充电：
1.Apple Divider DCP，要求在D+和D-线路上均施加2.7v电压
2.BC1.2 DCP，要求将D+线路短接至D-线路
3.中国电信标准YD/T 1591-2009短接模式，要求将D+线路短接至D-线路
4.Samsung DCP，要求D+线路和D-线路上的电压均为1.2V

功能特性
●双USB充电端口控制器
●工作电压范围4.5v至5.5v
●依照USB电池充电技术规格BC1.2，支持USB DCP D+线路短接至D-线路
●依照中国电信标准YD/T 1591-2009短接模式，支持短接模式（支持D+线路短接至D-线路）
●支持D+和D-线路上均施加2.7v电压的USB DCP
●支持在D+和D-线路上施加1.2v电压的USB DCP
●自动为连接的受电设备切换D+和D-线路连接
●采用SOT23-6封装

应用领域
●车载USB电源充电器
●带有USB端口的交流(AC)-直流(DC)适配器
●移动电源
●移动上网设备USB端口
●其他USB充电器
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PT8001

产品概述
PT8001是单通道 单通道USB专用充电端口(DCP)  (BC1.2)控制器。拥有自动检测特性实时监控USB数据线电压，并且自动在数据线上提供正确的电气特性，来为下列专用充电配置提供兼容性充电：
1.分压器1 DCP，要求在D+和D-线路上施加2v和2.7v电压
2.分压器2 DCP，要求在D+和D-线路上均施加2.7v电压
3.BC1.2 DCP，要求将D+线路短接至D-线路
4.中国电信标准YD/T 1591-2009短接模式，要求将D+线路短接至D-线路
5.Samsung DCP，要求D+线路和D-线路上的电压均为1.2V

功能特性
●单USB端口控制器
●工作电压范围4.5v至5.5v
●依照USB电池充电技术规格BC1.2，支持USB DCP D+线路短接至D-线路
●依照中国电信标准YD/T 1591-2009，支持短接模式（支持D+线路短接至D-线路）
●支持在D+和D-线路上均施加2.7v电压的USB DCP（或者是在D+线路上施加2v电压），在D-线路上施加2.7v电压的USB DCP）
●支持在D+和D-线路上施加1.2v电压的USB DCP
●自动为连接的器件切换D+和D-线路连接
●采用SOT23-5封装

应用领域
●车载USB电源充电器
●带有USB端口的交流(AC)-直流(DC)适配器
●移动电源
●移动上网设备USB端口
●其他USB充电器
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PT7738

DESCRIPTION
The PT7738 is a high performance PWM
controller for offline flyback power converter
application, with constant voltage. The PT7738
series are enhanced high efficient multi-mode
PWM flyback controller. PT7738 operates at
Continuous Conduction Mode (CCM) and
achieve highest average efficiency, fast dynamic
load response and ultra-low standby power.
PT7738 satisfy DoE Level VI requirements with
production margin.
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PT7200X

概述
PT7200是一款恒压、恒流的原边反馈控制芯片，内在VCBO为800V的功率三极管，适用于充电器和适配器
PT7200采用特有的输出线损补偿技术，可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。
PT7200是最新一代的恒压、恒流控制芯片，优化了动态响应和驱动等性能，能做更大的输出功率。
PT7200具有多重保护功能，包括开路保护，过压保护，短路保护功能等。

特点
●内置800V功率BJT
●高效率准谐振一次侧调节控制(PSR-QR)
●无需外部电容补偿
●恒压恒流精度高
●可编程线损补偿
●过温保护（OTP）
●过压保护和钳位(OVP)短路保护(SLP)
●输出电压保护(OVP&CIamp)
●低待机功耗≦75mW
●采用SOP-7封装

应用
●充电器/适配器
●线性电源
●LED电源
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PT2783

概述
PT2783是一款恒压、恒流的原边反馈控制芯片，内置 VCBO 为 800V 的功率三极管，适用于充电器和适配器。
PT2783采用特有的输出线损补偿技术，可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。
PT2783是 最新一代的恒压、恒流控制芯片，动态响应和驱动等性能 ，能做更大的输出功率。
PT2783具有多重保护功能，包括开路保护，过压保护，短路保护功能等。

特点
●内置 800V 功率 BJT
●高效率准谐振一次侧调节控制(PSR-QR)
●无需外部电容补偿
●恒压恒流精度高
●可编程线损补偿
●过温保护（OTP）
●过压保护和钳位(OVP)短路保护(SLP)
●输出电压保护(OVP&Clamp)
●低待机功耗≦75mW
●采用SOP-7封装

应用
●充电器/适配器
●线性电源
●LED电源
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PT2773X

概述
PT2773X是一款高效率低功耗反激式开关变换器。用于小功率充电器和适配器，内部集成850V功率三极管。采用开关频率和初级电流峰值振幅（FM和AM）多模式技术，保证了全载和线性范围内的较高的效率。
PT2773X提供精确的恒定电压，恒定电流（CV / CC）不需要光耦合器和二次控制电路调节。它也消除了环路补偿电路的需要，同时保持良好的稳定性。PT2773X可以实现良好的调节和较高的平均效率，满足空载损耗小于75mW。
PT2773X恒压模式下的线缆补偿以及恒流模式下的线电压补偿和负载补偿保证了恒压恒流环路的稳定度和高性能。

特点
●原边反馈控制高精度恒流、恒压
●75mW待机功耗
●内置850V三极管
●内置线电压补偿、负载补偿和恒流补偿
●可调线损补偿
●过温补偿（OTP）
●输出电压保护(OVP)、短路保护(SLP)
●VCC过压保护和钳位(OVP/Clamp)

应用
●手机、无绳电话、PDA、MP3和其他便携式设备等适配器、电池充电器
●LED驱动电源
●线性电源和RCC开关电源升级换代的最佳选择
●备用供电电源等
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PT7018

概述
PT7018是一款超低系统成本的高精度LED 恒流驱动芯片，适合于85V-265V 全范围交流输入电压的非隔离降压型LED 恒流电源系统。
PT7018采用500V 单芯片集成功率MOSFET，只需要很少的外围元件，即可实现优异的恒流特性。
PT7018芯片内带有高精度的电流取样电路，同时采用了先进的恒流控制技术，实现高精度的LED 恒流输出和优异的线性调整率。芯片工作在电感电流临界模式，系统输出电流不随电感量和LED 工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。
PT7018具有多重保护功能，包括逐周期电流限制保护（OCP），LED 短路保护，VDD 欠压保护，智能温控，管脚浮空保护等。
PT7018提供SOP8/TO-92/SOT23-3 封装。

特点
●500V单芯片集成电路，极少的外围元件
●SOP8/TO-92/SOT23-3 封装，空间高度节省
●临界模式工作，无需电感补偿
●芯片自供电，无需启动电阻等供电元件
●高达±5%的LED 电流精度
●LED 短路保护
●智能温度控制技术，避免高温灯闪
●彻底杜绝关灯回闪
●引脚悬空保护

应用
●球泡灯/蜡烛灯/玉米灯
●吸顶灯/T5/T8 灯管
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PT7015

概述
PT7015是一款超低系统成本的高精度LED 恒流驱动芯片，适合于85V-265V 全范围交流输入电压的非隔离降压型LED 恒流电源系统。
PT7015是一款内置500V 功率管的单芯片集成电路，只需要很少的外围元件，即可实现优异的恒流特性。
PT7015芯片内带有高精度的电流取样电路，同时采用了先进的恒流控制技术，实现高精度的LED 恒流输出和优异的线性调整率。芯片工作在电感电流临界模式，系统输出电流不随电感量和LED 工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。
PT7015具有多重保护功能，包括逐周期电流限制保护（OCP），LED 短路保护，VDD 欠压保护以及嵌位，智能温控等。
PT7015采用SOP-8/TO-92/SOT23-3 封装。

特点
●内置500V功率管的单芯片集成电路
●电感电流临界模式工作
●集成高压供电
●无需启动电阻、辅助绕组等供电元件
● 高达±5%的LED 电流精度
● LED 短路保护
●过热调节功能
●吸顶灯/T5/T8灯管
●球泡灯/蜡烛灯/玉米灯

应用
●吸顶灯/T5/T8灯管
●球泡灯/蜡烛灯/玉米灯
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PT5000

概述
PT5000 是一款内置100V 功率MOS高效率、高精度的开关降压型大功率LED
恒流驱动芯片。
PT5000 采用固定关断时间的峰值电流控制方式，关断时间可通过外部电容进
行调节，工作频率可根据用户要求而改变。
PT5000 通过调节外置的电流采样电阻，能控制高亮度LED 灯的驱动电流，使
LED 灯亮度达到预期恒定亮度。在DIM 端加PWM 信号，可以进行LED 灯调光。DIM 端同时支持线性调光。
PT5000 内部还集成了VDD稳压管以及过温保护电路等，减少外围元件并提高
系统可靠性。
PT5000 采用ESOP8 封装。散热片内置接SW 脚。

特点
●内置100V MOS
●宽输入电压范围：3.6V~100V
●高效率：可高达93%
●支持PWM 调光和线性调光
●最大工作频率：1MHz
●CS 电压：250mV
●芯片供电欠压保护：3.2V
●关断时间可调
●智能过温保护
●内置VDD 稳压管

应用
●自行车、电动车、摩托车灯
●强光手电
●LED 射灯
●大功率LED 照明
●LED 背光
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PT3122X

概述
PT3122X是一款高精度原边反馈LED 恒流驱动芯片，芯片工作在电感电流断续模式，适用于全范围输入电压，功率5W 以下的反激式隔离LED 恒流电源。
PT3122X芯片内部集成650V 功率开关，采用原边反馈模式，无需次级反馈电路，也无需变压器辅助绕组检测和供电，只需要极少的外围元件即可实现恒流，极大地节约了系统的成本和体积。
PT3122X芯片内带有高精度的电流取样电路，使得LED输出电流精度达到±5%以内。芯片采用了特有的恒流控制方式，可以达到优异的线性调整率。
PT3122X提供了多种全面的保护模式，其中包括：逐周期电流限制保护（OCP），LED 开路/短路保护，CS 电阻短路保护，VCC 欠压保护以及嵌位，过温保护等。
PT3122X采用SOP7 封装。

特点
● 内部集成650V 功率管
● 原边反馈技术，无需次级反馈电路
● 无需变压器辅助绕组检测和供电
●极低的工作电流
● LED 电流精度保持在±5%以内
●LED 开路/短路保护
● CS 电阻短路保护
● 原边过流保护
● VCC 欠压保护
●动态的温度补偿技术


应用
●GU10 LED 射灯
● LED 球泡灯
●其它LED 照明
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服务热线

0755-83268058

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